电容的单位为()。 A.F(法拉)B.Ω(欧姆)C.C(库仑)

题目内容（请给出正确答案）

电容的单位为()。

A.F(法拉)

B.Ω(欧姆)

C.C(库仑)

参考答案

考题电容的基本单位为()。 A、安培B、库仑C、伏特D、法拉

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考题电容的单位为欧姆。() 此题为判断题(对，错)。

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考题 5、只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本单位，则有A．最小反相器的输入电容为2B．最小NOR2的输入电容为4C．最小NAND的输入电容为3D．标准门的输入电容为6

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考题只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本单位，则有A．最小反相器的输入电容为2B．最小NOR2的输入电容为4C．最小NAND的输入电容为3D．标准门的输入电容为6

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考题在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为 0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐____。

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考题电感L的单位为，电容C的单位为。A．法拉，亨利B．亨利，法拉C．欧姆，亨利D．亨利，特斯拉

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考题写出电容器的电容值（用pF、nF或μF单位表示）电容值电容值 104 103 222 473 0.01 .1 154 339 226 470

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考题圆柱形电容器是由半径为R1的导线和与它同轴的导体圆筒构成，圆筒半径为R2，长为L。设导线沿轴线单位长度上的电荷为Q，圆筒上单位长度上的电荷为-Q，忽略边缘效应（即看成是无限长的圆柱筒）。求电容器的电容。

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考题 27、总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（）

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