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为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用()。

  • A、抑制电路
  • B、抗饱和电路
  • C、吸收电路

参考答案

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考题 桓流驱动电路中加速电容C的作用是()。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

考题 恒流驱动电路中,电容C的作用是()。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

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考题 对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的()。A、导通B、寿命C、关断D、饱和

考题 恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是()。

考题 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

考题 功率晶体管的驱动电路一般有两种类型,即恒流驱动和()。A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动

考题 试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

考题 在晶闸管的恒流驱动电路中加入加速电容,主要是为了()。A、减小基极电流B、增大集电极电流C、减小储存时间D、加快晶闸管的导通过程

考题 交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有()A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈B、采用正反馈和负反馈C、提高晶体管的饱和深度和放大系数D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈

考题 为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用()。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

考题 恒流驱动电路中,加速电容C的作用是()。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

考题 功率晶体管的驱动电路,一般有恒流驱动电路和()驱动电种型。A、微分B、积分C、比例D、PID

考题 恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是()。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间

考题 单选题驱动轮输出功率检测应该采用()。A 恒车速控制B 恒力控制C 恒流控制

考题 问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

考题 单选题功率晶体管的驱动电路一般有两种类型,即恒流驱动和()。A 变流驱动B 变压驱动C 比例驱动D 补偿驱动

考题 单选题对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的()。A 导通B 寿命C 关断D 饱和

考题 单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是()。A 加快功率晶体管的开通B 延缓功率晶体管的关断C 加深功率晶体管的饱和深度D 保护器件

考题 单选题为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用()。A 抑制电路B 抗饱和电路C 吸收电路

考题 填空题恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是()。

考题 单选题在晶闸管的恒流驱动电路中加入加速电容,主要是为了()。A 减小基极电流B 增大集电极电流C 减小储存时间D 加快晶闸管的导通过程

考题 单选题为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()。A du/dt抑制电路B 抗饱和电路C di/dt抑制电路D 吸收电路