网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

半导体中的扩散运动是由于（）而形成。

参考答案

更多 “半导体中的扩散运动是由于（）而形成。” 相关考题
考题 半导体中的空穴电流是由于价电子递补空穴而产生的。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 带电质点的扩散是由于质点的()造成的。 A、运动B、热运动C、扩散D、对流
查看答案
考题 影视中的二级运动是指由于画面之间的切换而形成的运动。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
查看答案
考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
查看答案
考题 扩散是由于系统中各部份浓度不同而引起的（）。
查看答案
考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
查看答案
考题 由于分子的无规则热运动而形成的物质传递现象为（）。A、热传质B、涡流扩散C、对流传质D、扩散传质
查看答案
考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
查看答案
考题 压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。
查看答案
考题 在介质中，由于微粒的热运动而产生的质量迁移现象，主要是由于密度差引起的，这种现象称为（）。A、数量极移动B、扩散现象C、细胞悬浮D、分离沉降
查看答案
考题 关于扩散现象，下列说法正确的是（）A、温度越高，扩散进行得越快B、扩散现象是不同物质间的一种化学反应C、扩散现象是由物质分子无规则运动产生的D、扩散现象在气体、液体和固体中都能发生E、液体中的扩散现象是由于液体的对流形成的
查看答案
考题 半导体中的漂移运动是由于载流子（）而引起的。
查看答案
考题 试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动？
查看答案
考题 本征半导体和杂质半导体中都存在（）现象，产生（），在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。
查看答案
考题 在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
查看答案
考题 半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
查看答案
考题 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
查看答案
考题 当P型半导体和N型半导体联结在一起时，在它们交界处要发生电子和空穴的（）。A、交换运动B、分配运动C、位移运动D、扩散运动
查看答案
考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
查看答案
考题 溶胶的动力性质是由于粒子的不规则运动而产生的，在下列各种现象中，不属于溶胶动力性质的是（）。A、渗透法B、扩散C、沉降平衡D、电泳
查看答案
考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
查看答案
考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
查看答案
考题 填空题在半导体中漂移运动是指（）的运动，扩散运动是指（）的运动。
查看答案
考题 填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
查看答案
考题 多选题关于扩散现象，下列说法正确的是（）A温度越高，扩散进行得越快B扩散现象是不同物质间的一种化学反应C扩散现象是由物质分子无规则运动产生的D扩散现象在气体、液体和固体中都能发生E液体中的扩散现象是由于液体的对流形成的
查看答案
考题 判断题压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。A 对B 错
查看答案
热门标签
最新试卷