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扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
参考答案
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考题
半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。()
此题为判断题(对，错)。
考题
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
考题
怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
考题
非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
考题
单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A
空穴是多数载流子B
在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C
在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D
在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
考题
单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A
只存在一种载流子：自由电子B
在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C
在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D
在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
考题
填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
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