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测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。


参考答案

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考题 油浸式变压器高、低压套管的安装时,先将套管竖立吊装到临时支架上,用螺栓固定牢固。用白布蘸( )将套管瓷件清洗干净后,进行绝缘电阻、介质损耗角正切值和电容值的测量,试验合格后方可吊装。 A.汽油B.机油C.乙醇D.无水乙醇

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。A对B错

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。A对B错

考题 在绝缘试验时,通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A对B错

考题 通过测量介质损耗角正切值可以检查被试品是否存在绝缘受潮和劣化等缺陷。A对B错

考题 在绝缘试验时,通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗正切值tanδ和电容值,应符合下列规定:在温室不低于()℃ 下。A、10%B、20%C、30%D、40%

考题 测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时,同一绕组的套管()。

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。

考题 通过测量介质损耗角正切值可以检查被试品是否存在绝缘受潮和劣化等缺陷。

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,应符合以下规定()A、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ(%)最大值0.7(500kV套管0.5);B、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型电容式气体tanδ(%)最大值1.5;C、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ(%)最大值2.0;D、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tanδ(%)最大值由供需双方商定;E、电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在±5%范围内。

考题 下列互感器的试验项目,“强制性条文”中应包括哪些内容?()A、测量绕组的绝缘电阻B、测量35kV及以上电压等级互感器的介质损耗角正切值tanδC、测量绕组的直流电阻D、检查接线组别和极性E、误差测量

考题 测量35KV及以上多油断路器的非纯瓷套管的介质损耗因数角在断路器的()状态下进行。

考题 测量介质损耗角正切值有何意义?

考题 40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。

考题 某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值tanδ为()。A、0.02B、0.08C、0.3184D、1

考题 常用的非破坏性试验有()。A、绝缘电阻和吸收比测量B、直流泄漏电流测量C、绝缘介质损耗角正切值测量D、工频耐压试验

考题 电容式胶黏纸套管的介质损耗角正切值超过1.5时,应取油样进行绝缘油试验。

考题 tanδ是介质损耗因数,用百分比表示其数值,实际上它是介质损耗角δ的正切值。

考题 单选题某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗角正切值tanδ,采用工频电压频率f=50HZ电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指针为0,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值为()A 0.02B 0.08C 0.3184D 1

考题 多选题下列互感器的试验项目,“强制性条文”中应包括哪些内容?()A测量绕组的绝缘电阻B测量35kV及以上电压等级互感器的介质损耗角正切值tanδC测量绕组的直流电阻D检查接线组别和极性E误差测量

考题 判断题在绝缘试验时,通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A 对B 错

考题 判断题M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。A 对B 错

考题 判断题当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。A 对B 错

考题 判断题测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变电压的相位,测量tanδ的方法选相倒相法。A 对B 错

考题 填空题测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。