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判断题
在硅砖中,磷石英晶体的真密度最小,线膨胀率小,热稳定性比方石英和石英好,抗渣侵蚀性强,导热性好,荷重软仪温度高,是石英中体积最稳定的形怂。
A

B


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考题 硅砖中的二氧化硅在加热过程中晶相的存在形态有()。 A、石英B、磷石英C、方石英D、石英玻璃

考题 焦炉在烘炉升温过程中,180~270℃为膨胀控制点,是由于()晶型在发生转化,造成硅砖膨胀率增大。A.石英B.方石英C.磷石英D.石英玻璃

考题 在硅砖烧制过程中,应尽可能的使SiO2向()晶型转化。A.石英B.方石英C.磷石英D.石英玻璃

考题 硅砖中的二氧化硅晶相的存在形态中熔点最高的是()。 A、石英B、磷石英C、方石英D、石英玻璃

考题 串联型石英晶体振荡电路中,石英晶体相当于一个电感而起作用。() 此题为判断题(对,错)。

考题 决定硅砖热稳定性好坏的关键是真密度,真密度的大小是确定其石英转化的重要标志之一。

考题 在硅砖中,方石英晶体的真密度最小,线膨胀率小,热稳定性比磷石英和石英好,抗渣侵蚀性强,导热性好,是石英体积最稳定的形态。

考题 硅砖中鳞石英含量()。A、愈少愈好B、愈多愈好C、适量为好

考题 石英晶体振荡器和LC振荡器相比较频率稳定性好的是()A、石英晶体振荡B、LC振荡器C、相同

考题 硅砖中的二氧化硅在加热过程中晶相的存在形态有()。A、石英B、磷石英C、方石英

考题 并联型石英晶体振荡电路中,石英晶体以并联谐振的形式出现,起()作用。A、电容B、电感C、电阻D、稳定电流

考题 石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是()。A、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显,稳定性也比石英晶体好B、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显,稳定性不如石英晶体好C、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显,稳定性也比压电陶瓷好D、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显,稳定性不如压电陶瓷好

考题 石英晶型转化,体积变化最大的是()。A、β—石英向α—石英转化B、α—石英向α—鳞石英转化C、α—鳞石英向α—方石英转化D、α—方石英向熔融态石英转化

考题 关于石英晶体的结构下列说法正确的是()。A、石英晶体具有完全各向异性的特性;B、石英晶体具有完全各向同性的特性;C、石英晶体是介于各向异性和石英晶体具有完全各向异性的晶体;以上说法都不对。

考题 在并联型石英晶体振荡电路中,是把石英晶体置于()回路中,晶体等效为(),和电容组成一个()。

考题 在硅砖中,磷石英晶体的真密度最小,线膨胀率小,热稳定性比方石英和石英好,抗渣侵蚀性强,导热性好,荷重软仪温度高,是石英中体积最稳定的形怂。

考题 判断题石英晶体振荡器的最大特点是振荡频率稳定度高。A 对B 错

考题 单选题我们希望硅砖制品中:()A α-石英越多越好B β-石英越多越好C 鳞石英越少越好D 方石英越少越好

考题 判断题烘成较好的硅砖中方石英的含量最高占50-80%;鳞石英次之,只占10-30%;而石英与玻璃相的含量波动在5一15%。A 对B 错

考题 单选题硅砖中鳞石英含量()。A 愈少愈好B 愈多愈好C 适量为好

考题 判断题在硅砖中,磷石英晶体的真密度最小,线膨胀率小,热稳定性比方石英和石英好,抗渣侵蚀性强,导热性好,荷重软仪温度高,是石英中体积最稳定的形怂。A 对B 错

考题 填空题在石英的晶型转变中,α-鳞石英,β-鳞石英,γ-方石英之间的转变称为()

考题 填空题在石英的晶型转变中,在石英的晶型转变中,γ-石英,α-鳞石英,α-方石英间的转变称为()

考题 判断题在硅砖中,方石英晶体的真密度最小,线膨胀率小,热稳定性比磷石英和石英好,抗渣侵蚀性强,导热性好,是石英体积最稳定的形态。A 对B 错

考题 判断题鳞石英转化为α—石英、胖随体积收缩。A 对B 错

考题 填空题石英晶体元件的等效Q值(),石英晶体振荡器的突出优点是频率稳定性好,精度高。

考题 单选题石英晶型转化,体积变化最大的是()。A β—石英向α—石英转化B α—石英向α—鳞石英转化C α—鳞石英向α—方石英转化D α—方石英向熔融态石英转化

考题 判断题决定硅砖热稳定性好坏的关键是真密度,真密度的大小是确定其石英转化的重要标志之一。A 对B 错