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名词解释题
空穴效应

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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 场效应管靠()导电。 A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴

考题 超声的作用不包括()。 A、电效应B、微机械效应C、空穴现象相关效应D、热效应

考题 利用装药一端的空穴提高局部破坏作用的效应称为()。

考题 P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

考题 在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子

考题 光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的

考题 电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 电力晶闸管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 空穴效应

考题 温度升高后,在纯净的半导体中()A、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B、空穴增多,自由电子数目不变C、自由电子增多,空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变

考题 N沟道结型场效应管中的载流子是()A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子

考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是()A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;B p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C 平衡载流子破坏原来的热平衡;D 非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

考题 判断题光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时间,而且,随着复合的进行,光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小,使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。A 对B 错

考题 单选题重空穴指的是()。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

考题 名词解释题空穴效应

考题 单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。A P区;B N区;C 结区;D 中间区。

考题 问答题什么是“空穴”?简述空穴的属性?

考题 单选题D沟道型场效应管中的载流子是()A 自由电子B 空穴C 电子和空穴D 带电离子

考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴

考题 填空题利用装药一端的空穴提高局部破坏作用的效应称为()。

考题 单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A 空穴;空穴B 空穴;自由电子C 自由电子;空穴D 自由电子;自由电子

考题 单选题场效应管参与导电的载流子是()。A 电子B 空穴C 多数载流子D 少数载流子