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填空题
由于栅氧化层中通常带()电荷,所以()型区比()型区更容易发生反型。

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考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 关于早期胃癌的预后中,下列哪项不正确A、早期胃癌的浸润深度比分化程度对预后的影响更大B、在黏膜内癌中隆起型比凹陷型转移率低C、在黏膜下癌中隆起型比凹陷型转移率高D、凹陷型比隆起型更容易发生肝转移,预后较差E、表浅广泛型早期胃癌比表浅局限型淋巴结转移率低

考题 机械设备运行危区可按运动状态分为静止型危区、回转型危区、往复型危区和复合型危区,其中,属于静止型危区的是()A、由平动或往复运动的机件形成B、由复杂运动形成C、由旋转物件形成D、尖角、毛刺、带刃锋利的转动部分

考题 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层

考题 ()性格的驾驶员更容易发生事故。A、理智型B、情绪型C、意志型D、平衡型

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 FISCO型安全栅比传统的实体安全栅连接的设备要少。

考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

考题 异质结太阳能电池的结构是在P型基片上,覆盖一层n型顶区层,两者的交界面构成一个异质结,然后在顶区层下面制作栅状金属电场,正背制作底面金属电极。

考题 关于s区元素的性质下列叙述中不正确的是()A、由于s区元素的电负性小,所以都形成典型的离子型化合物B、在s区元素中,Be、Mg因表面形成致密的氧化物保护膜而对水较稳定C、s区元素的单质都有很强的还原性D、除Be、Mg外,其他s区元素的硝酸盐或氯酸盐都可做焰火材料

考题 由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电。()

考题 通常将开始形成反型层所需的VGS值称为()电压。

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

考题 常用的10kV跌落式熔断器有RW10-10F型和RW11-10型,分析这两种高压熔断器有何特点。安装在农村、山区长线路上的跌落式熔断器可采用(),如RW10-10F型熔断器。A、负荷熔断器(带消弧栅型)B、高压熔断器(带消弧栅型)C、负荷熔断器(不带消弧栅型)D、高压熔断器(不带消弧栅型)

考题 绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高,当栅极悬空时,在栅极感应出的电荷很难泄放,由于极间电容较小,少量电荷就会使栅级产生较高的电压,因此栅极必须悬空。

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 填空题在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

考题 问答题请判断下面的叙述中,哪些是正确的? (1)半导体ROM是一种非易失性存储器。 (2)半导体存储器是非永久性存储器,断电时不能保存信息。 (3)同SRAM相比,由于DRAM需要刷新,所以功耗大。 (4)由于DRAM靠电容存储电荷,所以需要定期刷新。 (5)双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高。 (6)目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,称为FAMOS型EPROM,该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

考题 名词解释题反型层电荷

考题 单选题体态理论认为()的人更容易犯罪。A 内容型B 中坯层型C 外坯层型D XYY型

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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

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