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单选题
在烤瓷烧结过程中,可能在烤瓷中残留气孔,下面哪个是最不重要的影响因素()
A

失水方法

B

烧结炉的压力

C

烤瓷的加热速率

D

烧结的最大烧结温度


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 在真空炉内烧结而成PFM修复体的是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷金合金E、低熔瓷粉与金合金

考题 在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷合金E、低熔瓷粉与金合金

考题 真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有2种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是A、31~40℃B、21~30℃C、10℃以内D、11~20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败,烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间B、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间C、现时温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间D、现时温度,最终温度,预热时间,升温时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间E、现时温度,最终温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

考题 下列哪项在金瓷匹配的影响因素中占主要地位?( )A、两者结合界面的润湿状态B、金属烤瓷烧结温度C、金属熔点D、两者的热膨胀系数E、金属表面的粗化程度

考题 金-瓷界面残余应力造成修复体破坏的主要因素是A.烤瓷合金与瓷粉在烤炉内冷却到室温时,永久保留在材料内部和界面的应力B.烤瓷合金与瓷粉之间的热膨胀系数的匹配C.烤瓷冠烧结次数D.烤瓷冠在烤瓷炉内的升温速率E.金属内冠铸造时熔金时间的长、短

考题 制作金属烤瓷修复体时,若烤瓷的热膨胀系数大于金属的热膨胀系数,在烧结冷却过程中,可产生下述哪种不良后果A.瓷层剥脱B.瓷层龟裂、破碎C.瓷层出现气泡D.瓷层颜色变灰暗E.金属变形

考题 金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

考题 烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是A.35~45℃B.45~49℃C.50~55℃D.55~60℃E.60~70℃

考题 真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间B、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间C、现时温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间D、现时温度,最终温度,预热时间,升温时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间E、现时温度,最终温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是A、31~40℃B、21~30℃C、10℃以内D、11~20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败,烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏请帮忙给出每个问题的正确答案和分析,谢谢!

考题 在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是A.烤瓷失败B.烤瓷失败,烤瓷件报废C.烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D.炉膛报废E.发热体损坏

考题 金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是()A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位

考题 PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体()A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷合金E、低熔瓷粉与金合金

考题 在金瓷匹配的影响因素中占主要地位的是()A、金属烤瓷烧结温度B、两者的热膨胀系数C、金属熔点D、两者结合界面的润湿状态E、金属表面的粗化程度

考题 金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是()A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位

考题 烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是()。A、35~45℃B、45~49℃C、50~55℃D、55~60℃E、60~70℃

考题 单选题烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是()。A 35~45℃B 45~49℃C 50~55℃D 55~60℃E 60~70℃

考题 单选题在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是(  )。A 烤瓷失败B 烤瓷失败,烤瓷件报废C 烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D 炉膛报废E 发热体损坏

考题 单选题下列哪项在金瓷匹配的影响因素中占主要地位?(  )A 两者结合界面的润湿状态B 金属烤瓷烧结温度C 金属熔点D 两者的热膨胀系数E 金属表面的粗化程度

考题 单选题在烤瓷烧结过程中,下面哪个选择准确总结了体积变化的原因()A 烧结收缩和冷却收缩B 烧结膨胀和反应收缩C 烧结膨胀和压缩收缩D 失水收缩和烧结收缩

考题 单选题在烧结过程中,大部分烤瓷的收缩率大约是()A 10%B 20%C 30%D 50%

考题 单选题氧化铝烤瓷是基于()A 氧化铝溶解在烤瓷玻璃成分中B 烤瓷粉体表面以铝覆盖C 氧化铝颗粒分散在烤瓷玻璃基质中D 通过氧化铝成核剂长出新的结晶的烤瓷

考题 单选题在金瓷匹配的影响因素中占主要地位的是()。A 金属烤瓷烧结温度B 两者的热膨胀系数C 金属熔点D 两者结合界面的润湿状态E 金属表面的粗化程度

考题 单选题金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是()A 烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B 为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡C 烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D 烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E 热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位

考题 单选题金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是()A 烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B 为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡C 烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D 烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E 热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位

考题 单选题金属基底冠除气的方法是()。A 低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB 低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC 高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD 高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE 高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

考题 单选题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是()。A 烤瓷失败B 烤瓷失败,烤瓷件报废C 烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D 炉膛报废E 发热体损坏

考题 单选题对于PFM的长期美观性失败,下面哪个因素经常有贡献()A 烤瓷金属遮色瓷层颜色改变B 烤瓷颜色改变C 烤瓷表面釉瓷颜色改变D 邻近牙逐渐变黄