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问答题
结晶形核有哪些方式，哪一种形核方式更易形核，为什么？

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考题 液态金属结晶的基本过程是() A.边形核边长大B.先形核后长大C.自发形核D.非自发形核
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考题 晶核的形成有（）方式。A、自发形核（异质形核）B、非自发形核（异质形核）C、自发形核（均质形核）D、非自发形核（均质形核）
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考题 金属熔液在结晶凝固时若液相中各个区域出现新相晶核的几率都是相同的，这种形核方式叫做均匀形核。
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考题 液态金属结晶的基本过程是（）。A、边形核边长大B、先形核后长大C、自发形核非自发形核D、晶枝生长
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考题 在凝固过程中形核的两种方式是（）形核和非自发形核。
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考题 异质形核速率与下列哪些方式有关（）A、过冷度B、界面C、液态金属的过热D、操作
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考题 根据构成能障的界面情况的不同，形核方式包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、均质形核
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考题 结晶形核有哪些方式，哪一种形核方式更易形核，为什么？
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考题 下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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考题 合金凝固时，为了获得细小的晶粒尺寸，往往增加结晶过冷度以提高形核率，问是否过冷度越大，结晶形核率越高，为什么？
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考题 非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。
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考题 下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）A、临界晶核的体积和表面积越小；B、形核需要的过冷度越小；C、需要的形核功越小。。
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考题 问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义，以及为什么形核要有一定过冷度？
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考题 多选题晶核的形成方式有两种，即（）A喂养形成B自发形核C非自发形核
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考题 问答题合金凝固时，为了获得细小的晶粒尺寸，往往增加结晶过冷度以提高形核率，问是否过冷度越大，结晶形核率越高，为什么？
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考题 单选题液态金属结晶的基本过程是（）。A 边形核边长大B 先形核后长大C 自发形核非自发形核D 晶枝生长
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考题 问答题为提高金属结晶时的形核率，往往向液态金属中加入一定量的高熔点的固体颗粒形核剂以促进非均匀形核。问当向液态金属中加入的固体颗粒形核剂分别为金属颗粒和陶瓷颗粒时，加入哪种形核剂对提高结晶形核率的效果更好，为什么？
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考题 问答题为什么非均匀形核比均匀形核要容易？
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考题 单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度
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考题 判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A 对B 错
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考题 问答题说明为什么异质形核比均质形核容易？影响异质形核的因素？
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考题 多选题以下说法中，（）说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核
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考题 多选题下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）A临界晶核的体积和表面积越小；B形核需要的过冷度越小；C需要的形核功越小。。
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考题 单选题实际金属结晶形成晶核时，主要是哪种形核方式（）。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核
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考题 问答题什么是均匀形核与非均匀形核？实际发生的主要是哪一种？
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考题 多选题下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）A非均匀形核比均匀形核的形核率高；B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。
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考题 问答题形核剂的条件有哪些？
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