考题
再热裂纹的特性之一是()
A、沿晶断裂B、穿晶断裂C、沿晶+穿晶断裂D、混晶断裂
考题
沉淀完成后进行陈化是为了()。
A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净，同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用
考题
固体分散体的共沉淀物中的药物是以稳定晶型形式存在的。( )此题为判断题(对，错)。
考题
某些载体材料有抑晶性，使药物以无定形状态分散于其中，可得共沉淀物。( )此题为判断题(对，错)。
考题
利用生成混合晶体进行共沉淀常用的混晶体有()PbSO4等。混晶体一种是被测物,另一种是其沉淀物,本法选择性比吸附共沉淀法高。
A、Na2CO3B、CaSO4C、BaSO4D、KNO3
考题
利用无机共沉淀剂进行共沉淀主要有表面吸附共沉淀和生成混品共沉淀两种方法。()
此题为判断题(对，错)。
考题
共沉淀物中药物存在形式（ ）。A、分子状态B、胶态C、微晶D、无定形E、物理态
考题
固体分散体的类型包括( )A、混悬型B、简单低共熔混合物C、固态溶液D、缓释型E、共沉淀物
考题
共沉淀物中药物存在形式：
A.分子状态 B.胶态
C.微晶 D.无定型
E.物理态
考题
焊拉之头中结晶裂纹的开裂形式是（）A、沿晶B、穿晶C、混晶
考题
陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
考题
共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
考题
下列叙述哪些是错误的？（）A、沉淀反应后立即过滤可防止后沉淀B、沉淀的表面吸附作用是由于表面离子的力场未饱和所致C、进行陈化操作可减少混晶共沉淀D、AnS在HgS沉淀表面上而不在BaSO4沉淀表面上后沉淀
考题
固体分散物的类型有（）A、混悬型B、固态溶液C、共沉淀物D、低共熔混合物E、溶胶型
考题
形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
考题
用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（）。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀
考题
共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
考题
Ra2+与Ba2+的离子结构相似，因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+，这种富集方式是利用了（）A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀
考题
下列哪种情况是均匀沉淀法不能达到的目的（）A、避免局部过浓B、沉淀均匀、缓慢的析出C、生成颗粒粗大的沉淀D、防止生成混晶共沉淀
考题
形成混晶共沉淀的主要条件是什么？常用来进行定性鉴定的混晶体系是什么？
考题
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
考题
如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
考题
共沉淀分离根据共沉淀剂性质可分为混晶共沉淀分离和胶体凝聚共沉淀分离。
考题
单选题当温度大于等强温度时，易产生（）A
解理断裂B
混晶断裂C
沿晶断裂D
穿晶断裂
考题
填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
考题
问答题非晶/非晶聚合物共混物的形态结构有哪些类型？
考题
单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A
表面吸附B
混晶C
机械吸留D
后沉淀
