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名词解释题
正向转折电压

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考题 若晶闸管的控制电流由小变大,则正向转折电压()。 A、由小变大B、由大变小C、保持不变
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考题 选择晶闸管的型号一般根据:( ) A、额定电压和平均电流;B、额定电流和正向转折电压;C、额定电压和额定电流;D、平均电流和正向转折电压。
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考题 发光二级管工作时,应加() A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压
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考题 变容二极管工作时,应加() A、反向电压B、正向电压C、反向电压或正向电压
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考题 晶闸管的导通条件是加()。 A.反向阳极电压和正向门极电压B.反向阳极电压和反向门极电压C.正向阳极电压和正向门极电压D.正向阳极电压和反向门极电压
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考题 晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。 A、100VB、120VC、150VD、180V
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考题 在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200V B.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200V C.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200V D.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
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考题 正向转折电压
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考题 可控硅只有同时具有（）时才能导通。A、正向阳极电压和负向触发电压B、正向阳极电压和正向触发电压C、负向阳极电压和正向触发电压D、负向阳极电压和负向触发电压
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考题 晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
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考题 PN结外加正向电压，电流值与外加电压的大小有（）关系。A、随外加电压的增加，正向电流减小B、随外加电压的增加，正向电流增大C、随外加电压的减小，正向电流不变D、随外加电压的减小，正向电流增加
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考题 晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
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考题 允许重复加在晶闸管两端的电压为（）。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）A、反向峰值电压较小B、反向转折电压较大C、两者相等D、反向峰值电压大于反向转折电压
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考题 晶闸管硬开通是在（）情况下发生的。A、阳极反向电压小于反向击穿电压B、阳极正向电压小于正向转折电压C、阳极正向电压大于正向转折电压D、阴极加正压，门极加反压
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考题 晶闸管导通必备的条件为（）。A、阳极加正向电压B、阴极加正向电压C、阳极加正向电压，同时在门极上加正向触发电压D、同时在门极上加反向电压
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 三极管处于放大状态的外部条件是（）A、发射结加反向电压、集电结加正向电压B、发射结加正向电压、集电结加反向电压C、发射结加正向电压、集电结加正向电压D、发射结加反向电压、集电结加反向电压
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考题 要使晶闸管导通，阳极电路加正向电压；门极电路加适当的（）。A、反向电压B、正向电压C、额定电压D、正向电流
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考题 晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
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考题 晶闸管在遭受过电压时，会立即发生反向击穿或正向转折。
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
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考题 填空题小功率LED的正向电压是正向电流在（）时的电压。大功率LED的正向电压通常是是正向电流在（）的电压。
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考题 填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
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