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题目内容 (请给出正确答案)
单选题
SRAM是一种()。
A

动态RAM

B

静态RAM

C

动态ROM

D

静态ROM


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题SRAM是一种()。A 动态RAMB 静态RAMC 动态ROMD 静态ROM” 相关考题
考题 下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

考题 ● 下列关于静态存储器 (SRAM) 和动态存储器 (DRAM) 的叙述中, 不正确的是 (9) 。(9)A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高B. DRAM 就是通常说的内存C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低D. SRAM 只要不断电,数据就能永久保存

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRAM比SRAM速度快Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 DRAM与SRAM比较:() A、DRAM比SRAM速度快B、DRAM比SRAM价格低C、DRAM比SRAM较容易使用

考题 下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

考题 SRAM和DRAM的区别?() A.SRAM比DRAM功耗高B.SRAM比DRAM成本高C.SRAM比DRAM速度快D.SRAM比DRAM散热大

考题 以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。A.SRAM的内容是不变的,DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的,DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的,但DRAM的内容需要定期刷新

考题 下列关于SRAM的叙述,正确的是A.SRAM是一种随机存储器B.SRAM是一种易失性存储器,断电则丢失存储信息C.SRAM需要刷新操作,不定时刷新,数据会丢失D.SRAM速度快,通常用来制作高速缓存E.SRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。A.Ⅰ和Ⅱ B.Ⅱ和Ⅲ C.Ⅲ和Ⅳ D.Ⅰ和Ⅳ

考题 以下关于DRAM和SRAM说法正确的是()A、DRAM具有双稳态特性B、SRAM将每个位存储为对一个电容的充电C、DRAM主要用于主存,帧缓冲区D、SRAM对干扰非常敏感

考题 以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

考题 以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

考题 以下是关于闪存(FlashROM)的描述,错误的是()。A、闪存是一种非易失性存储器B、闪存是一种可重写的存储介质C、闪存具有可重复编程的特性D、闪存存取速度比SRAM高

考题 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()A、DRAM将每个位存储为对一个电容的充电B、SRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感C、SRAM主要用于高速缓存D、SRAM具有双稳态特性

考题 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRAM需要周期性刷新

考题 HM6116是一种()A、DRAM芯片B、SRAM芯片C、64K*1位芯片D、4K*8位芯片

考题 SRAM是一种()。A、动态RAMB、静态RAMC、动态ROMD、静态ROM

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 关于SRAM和DRAM,下面说法正确的是()。A、SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失B、DRAM使用内部电容来保存信息C、SRAM的集成度高于DRAMD、只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失

考题 随机存储器又分为DRAM和SRAM,当前PC使用最多的是SRAM。

考题 SRAM和DRAM的区别?()A、SRAM比DRAM功耗高B、SRAM比DRAM成本高C、SRAM比DRAM速度快D、SRAM比DRAM散热大

考题 判断题随机存储器又分为DRAM和SRAM,当前PC使用最多的是SRAM。A 对B 错