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单选题
非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()
A

碘化铯闪烁体

B

开关二极管

C

光电二极管

D

电容器

E

模数转换器


参考答案

参考解析
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考题 关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

考题 非晶硅平板A.直接转换B.间接转换C.光电转换D.电光转换E.闪烁晶体

考题 属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()A、使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒(a-SE.C、每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同

考题 非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A、碘化铯闪烁体B、开关二极管C、光电二极管D、电容器E、模数转换器

考题 属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

考题 非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是()A、信号输出方式不同B、图像重建方法不同C、图像矩阵大小不同D、光电转换过程不同E、模/数转换过程不同

考题 关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

考题 应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器

考题 非晶硒平板探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CsID、A/D转换器E、储能电容

考题 非晶硒平板型探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CSID、A/D转换器E、储能电容

考题 单选题间接转换探测器的光电导材料一般是(  )。A 硫氧化钆B 碘化铯C 光电二极管D 非晶硅E 非晶硒

考题 单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。A 信号读出B 荧光材料层和探测元阵列层的不同C A/D转换D 信号输出E 信号放大

考题 多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

考题 单选题直接转换型平板探测器中,存储电流信号的元件是(  )。A 极间电容B 光电二极管C 场效应管D 模数转换器E 非晶硒层

考题 单选题非晶硅平板探测器中,将X线转换成光信号的材料是(  )。A CsIB a-SeC CCDD BaFBrE CaWO4

考题 单选题GE悬吊无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 单选题非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是()A 信号输出方式不同B 图像重建方法不同C 图像矩阵大小不同D 光电转换过程不同E 模/数转换过程不同

考题 单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述,正确的是(  )。A 将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B 将可见光转换成电信号的是模/数转换器C 主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类D 非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E 在闪烁晶体上形成储存电荷

考题 单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A 表面电极B 基板层C 光电二极管D 非晶硅TFT阵列E 碘化铯晶体层

考题 多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极

考题 单选题间接转换型平板探测器的组成不包括(  )。A 基板层B 光电二极管C 非晶硅TFT阵列D 碘化铯晶体层E 集电矩阵

考题 单选题非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A 碘化铯闪烁体B 开关二极管C 光电二极管D 电容器E 模数转换器

考题 单选题间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。A 碘化铯闪烁体B 光电二极管C 非晶硒D 模数转换器E 光电倍增管

考题 多选题非晶硅平板探测器的结构包括(  )。A保护层B碘化铯闪烁体层C非晶硅光电二极管阵列D行驱动电路E图像信号读取电路

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是()A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器