考题
PN结反向偏置时,处于截至状态,呈高电阻,反向电流小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。
A、正向B、反向C、双向D、逆向
考题
PN结具有()性能,即加正向电压时,形成的正向电流();加反向电压时,形成的反向电流()。
考题
PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
PN结具有（）导电性。A、单向B、多项C、双向D、反向
考题
PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
考题
PN结的导电特性是（）。A、单向导电B、反向导电C、双向导电D、PN结导电
考题
PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
考题
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有单向导电性，其中（）极接正，而（）极接负的电压称为反向电压，此时PN结截止。
考题
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
下列（）情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大
考题
判断题PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）A
对B
错
考题
填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
