网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
单选题
对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。
A

负离子空位

B

间隙正离子

C

间隙负离子

D

A或B

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “单选题对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。A 负离子空位B 间隙正离子C 间隙负离子D A或B” 相关考题
考题 根据下列选项，回答 178～182 题：A．形成环氧乙烷B．嵌入DNAC．形成碳正离子D．形成羟基络合物E．形成乙撑亚胺正离子第 178 题 氮芥的作用原理（ ）。
查看答案
考题 氮芥类药物的作用原理A.形成乙撑亚胺正离子 B.形成碳正离子 C.嵌入DNA D.形成环氧乙烷 E.形成羟基络合物
查看答案
考题 A.嵌入DNA B.形成乙撑亚胺正离子 C.形成环氧乙烷 D.形成羟基络合物 E.形成碳正离子顺铂的作用原理
查看答案
考题 A.嵌入DNA B.形成乙撑亚胺正离子 C.形成环氧乙烷 D.形成羟基络合物 E.形成碳正离子放线菌素D的作用原理
查看答案
考题 在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。A对B错
查看答案
考题 放电电极附近的气体电离产生大量的（）。A正离子和电子；B正离子和负离子；C正电荷和负电荷；D中子和电子。
查看答案
考题 在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。
查看答案
考题 N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
查看答案
考题 焊接电弧三个部分作用描述正确的是（）。A、阴极发射电子，阳极产生正离子B、阴极提供电子流和接受正离子流C、阳极接受电子流和提供正离子流D、弧柱起电子流和正离子流的导电通路作用
查看答案
考题 在通常情况下，气体是不导电的，为了使其导电，必须在气体中形成足够数量的（）。 A、自由电子和正离子B、自由电子C、正离子
查看答案
考题 在磁场强度保持恒定，而加速电压逐渐增加的质谱仪中，试样中哪一种离子首先通过固定的收集器狭缝？（）A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子
查看答案
考题 某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析，当加速电压V慢慢地增加时，则首先通过狭峰的是：（）A、质量最小的正离子B、质量最大的负离子C、质荷比最低的正离子D、质荷比最高的正离子
查看答案
考题 某化合物用一个具有固定狭缝位置和恒定加速电压V的质谱分析仪进行分析时，当磁场强度H慢慢增加时，首先通过狭缝的是（）。A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子
查看答案
考题 负电性金属正离子进入溶液，金属上带有（）。
查看答案
考题 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。A、等离子体B、不等离子体C、正离子体D、液电流
查看答案
考题 习惯上规定，（）定向移动的方向为电流的正方向。A、正电荷B、负电荷C、正离子D、负离子
查看答案
考题 通常，大气中的正离子与负离子的平均值为（）A、正离子与负离子的平均值大致相当B、负离子大于正离子C、正离子大于负离子D、负离子远大于正离子
查看答案
考题 仲碳正离子比伯碳正离子（）。
查看答案
考题 电解质溶液中正离子迁移数是指（）A、正离子迁移的物质的量B、正离子迁移速率/所有离子迁移速率之和C、正离子迁移电荷数/负离子迁移电荷数D、正离子迁移的物质的量/总导电量的法拉第数
查看答案
考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（）。A 间隙和空位质点同时成对出现B 正离子空位和负离子空位同时成对出现C 正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D 正离子间隙和位错同时成对出现
查看答案
考题 单选题通常，大气中的正离子与负离子的平均值为（）A 正离子与负离子的平均值大致相当B 负离子大于正离子C 正离子大于负离子D 负离子远大于正离子
查看答案
考题 单选题对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（）。A 正离子空位B 间隙负离子C 负离子空位D A或B
查看答案
考题 问答题从负离子的立方密堆积出发， （1）正离子填满所有四面体位置； （2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置； （3）正离子填满所有的八面体位置； （4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
查看答案
考题 填空题离子晶体生成Schttky缺陷时，正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随（）的增加。
查看答案
考题 问答题从负离子的六方密堆积出发， （1）正离子填满一半的四面体位置； （2）正离子填满所有的八面体位置； （3）正离子填满八面体结构的交替层。 三种情况各产生什么结构类型？
查看答案
考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
查看答案
考题 填空题电子崩中正离子的运动速度双自由电子慢，它滞留在产生时的位置缓慢向（）移动
查看答案
热门标签
最新试卷