网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
填空题
半导体激光发光是由（）之间的电子空穴对负荷产生的。

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “填空题半导体激光发光是由（）之间的电子空穴对负荷产生的。” 相关考题
考题 半导体中的空穴电流是由于价电子递补空穴而产生的。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
查看答案
考题 半导体激光器的发光是由()产生的。 A.自发辐射B.受激辐射C.受激吸收
查看答案
考题 半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量,成为以“空穴”导电为主的半导体,称为P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流
查看答案
考题 靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的
查看答案
考题 半导体激光器的发光是由（）产生的。A、自发辐射B、受激辐射C、受激吸收
查看答案
考题 半导体中空穴电流是由（）所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴
查看答案
考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
查看答案
考题 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
查看答案
考题 半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
查看答案
考题 半导体中空穴电流是由（）A、自由电子填补空穴所形成的B、价电子填补空穴所形成的C、自由电子定向运动所形成的D、价电子的定向运动所形成的
查看答案
考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
查看答案
考题 在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
查看答案
考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
查看答案
考题 半导体中的载流子为（）。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴
查看答案
考题 在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
查看答案
考题 P型半导体中的多数载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子
查看答案
考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
查看答案
考题 半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴所形成的；B、自由电子填补空穴所形成的；C、空穴填补自由电子所形成的；D、自由电子定向运动所形成的。
查看答案
考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
查看答案
考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
查看答案
考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
查看答案
考题 问答题光信号（光束）入射到半导体材料后，如何产生电子空穴对？
查看答案
考题 单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A 禁带B 分子C 粒子D 能带
查看答案
考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴
查看答案
热门标签
最新试卷