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单选题
晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）
A

固相生长

B

液相生长

C

气相生长

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）A、固相生长B、液相生长C、气相生长
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考题 在晶体生长的过程中与下列哪个因素无关（）。A、溶解度B、冷却速度C、溶液浓度D、过滤方式
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考题 反接制动方式在提升系统中用得较少原因是（）A、冲击电流大B、冲击力矩大C、制动速度慢D、制动力矩小
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考题 晶体宏观长大方式包括（）A、螺旋位错生长B、平面方式生长C、反射孪晶生长D、旋转孪晶生长
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考题 流化技术在片剂制备中用于（）.A、制粒B、干燥C、包衣D、混合
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考题 SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。A、反应温度在280℃~300℃之间B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥C、晶体生长速度D、合成时加入少量的催化剂，可降低温度
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考题 在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
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考题 在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
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考题 成分过冷对晶体生长方式的影响是什么？
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考题 简述成分过冷对晶体生长方式的影响？
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考题 关于氢氧化铝的用途，说法错误的是（）A、用于制药，中和胃酸B、用于制备铝酸盐C、用于制备三氧化二铝D、在实验中用于中和过量强酸
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考题 自然界存在的晶体或人工制备的晶体中，所有粒子都是按照一定规律有序排列的，没有任何缺陷。
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考题 人工晶体偏心是指人工晶体的光学中心偏离视轴（）
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考题 按包裹体形成的相对时间，可将宝石中包裹体分为三大类，其中原生包裹体是指（）A、比寄主晶体先形成的包裹体B、与寄主晶体同时形成的包裹体C、在寄主晶体停止生长之后形成的包裹体
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考题 对纯金属，正确的是（）A、在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B、在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C、在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D、在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
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考题 晶体宏观长大方式不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、树枝晶方式生长
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考题 多选题反接制动方式在提升系统中用得较少原因是（）A冲击电流大B冲击力矩大C制动速度慢D制动力矩小
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考题 问答题简述温度梯度分布对晶体生长方式的影响
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考题 问答题固-液界面结构如何影响晶体生长方式和生长速度？
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考题 填空题晶体按其生长方式分为（）、（）、（）三种。
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考题 多选题对纯金属，正确的是（）A在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
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考题 多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D树枝晶方式生长
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考题 多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平面方式生长
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考题 问答题简述晶体生长机制（方式）。
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考题 单选题晶体宏观长大方式包括（）A 螺旋位错生长B 平面方式生长C 反射孪晶生长D 旋转孪晶生长
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考题 问答题简述成分过冷对晶体生长方式的影响？
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考题 判断题人工晶体偏心是指人工晶体的光学中心偏离视轴（）A 对B 错
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