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晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件个为什么？

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考题 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结和集电结都正偏。()
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考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
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考题 晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。
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考题 为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。 A.掺杂少B.鼠掺杂多C.纯净D.不掺杂
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考题 当晶体管基极电流有一个微小的变化时，将引起集电极电流（）多的变化。这就是晶体管的（）放大作用。
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考题 晶体管电流放大作用的实质是什么？为什么晶体管具有电流放大作用？
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考题 晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么？
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考题 为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A、掺杂少B、鼠掺杂多C、纯净D、不掺杂
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考题 晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各为什么？
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考题 晶闸管和晶体管都能用小电流控制大电流，因此它们都具有放大作用。
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考题 三极管在一定的外部条件下具有（）放大作用。A、电压B、电流C、电阻D、电极
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考题 晶体管的放大作用主要表现在：（）A、电流放大B、电压放大C、正向放大
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考题 何为晶体管的电流放大作用，电流放大系数如何计算？
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体三极管有两个PN结，即（）结和（）结；要具有电流放大作用必须具备的外部条件是（）和（）
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考题 晶体管能够放大的内部条件是（）A、大于B、小于C、等于D、不变E、变宽F、变窄
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考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（），集电结（）。
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考题 晶体管的主要特性是具有（）。A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用
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考题 三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是（）和（）。
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考题 三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流ICEO将（）。
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考题 三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个内部条件是（）和（）。
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考题 三极管具有放大作用的外部条件是（）、（）。
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考题 晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和（）结反向偏置。
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考题 晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结（），集电结（）。
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考题 晶体管电流放大作用的实质是以微小电流控制较大电流。
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考题 问答题晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各为什么？
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考题 单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结反偏，集电结反偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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