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前后比即天线后向（）的范围内的副瓣电平与前向（）最大波束电平之差。
参考答案
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考题
基站天线垂直面内采用赋形波束设计时,为了使业务区内的辐射电平更均匀,下副瓣第一零点需要填充,不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于()dB即表示天线有零点填充。
A.-10B.-15C.-26D.-50
考题
上副瓣抑制是对于（）系统，为了提高频率复用效率，减少对邻区的同频干扰，基站天线波束赋形时应尽可能降低那些瞄准干扰区的副瓣，提高D/U值（有用和无用信号强度之比），上第一副瓣电平应小于-18dB，对于大区制基站天线无这一要求。
考题
关于天线的指标描述，下面说法不正确的是（）。A、天线的前后比指标不是天线的主指标，在网规中可以不考虑B、多端口天线，如双极化天线、双频段双极化天线、双频双工双极化天线，收发公用时，端口之间的隔离度应大于40dBC、基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深，对于大区制基站天线无这一要求D、在双极化天线中，通常使用+0°和-90°正交双线极化
考题
基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于（）即表示天线有零点填充。A、-10dB；B、-15dB；C、-26dB；D、-50dB。
考题
单选题供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
考题
单选题基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于（）即表示天线有零点填充。A
-10dB；B
-15dB；C
-26dB；D
-50dB。
考题
判断题前后比是衡量天线后向波束抑制能力的重要指标，该指标与天线增益及类型有关，大约在18～45dB之间。A
对B
错
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