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当AT89S51执行MOVX A,@R1指令时,伴随着WR信号有效。


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考题 指令MOVX A,@R1的二操作数的寻址方式是( )。 A.立即寻址B.直接寻址C.寄存器寻址D.寄存器间接寻址

考题 执行指令MOVXA,﹫DPTR时,WR.RD脚的电平为()。A.WR高电平,RD低电平B.WR低电平,RD高电平C.WR高电平,RD高电平D.WR低电平,RD低电平

考题 在8086最小模式下,执行“INAL,n”指令时,M/IO#、WR#、RD#的信号电平依次为()。A、0、0、lB、0、三态、0C、0、1、0D、l、l、0

考题 假设R1=1.8,当执行取整运算指令R2=TRUNC(R1)时,是将值2.0赋给变量R2(SIEMENS系统)。

考题 在最小模式下,执行“OUT-DX,AL”指令时,M/IO,WR,RD,DT/R的状态分别是()

考题 MOVC A,@A+DPTR与MOVX A,@DPTR指令有何不同?

考题 下面哪条指令产生WR信号()。A、MOVXA,@DPTRB、MOVCA,@A+PCC、MOVCA,@A+DPTRD、MOVX@DPTR,A

考题 AT89S51单片机中PC的值是当前正在执行指令的下一条指令的地址。

考题 当MCS-51执行MOVC A,@A+PC指令时,伴随着()控制信号有效。

考题 单片机读内部ROM时用MOV指令,读外部ROM用MOVX指令。

考题 对片外数据RAM单元读写数据用()。A、MOV指令B、MOVX指令C、WR指令D、MOVC指令

考题 AT89S51有()条指令。

考题 指令MOV @R1, A与MOVX @R1,A比较,()。A、 指令的功能一样B、 前一条指令的目的地址在片内RAM,后一条指令的目的地址在片外RAMC、 前一条指令属于寄存器间接寻址,后一条指令属于直接寻址D、 前一条指令用于访问片内RAM,后一条指令只能访问片内的SFR区

考题 R1的内容为50H,执行下面的指令或指令组合,(),两(组)指令执行结果一样。A、 指令ORL  50H #40H和指令组合MOV  A @R1  ORL  50H A比较B、 指令ORL  A @R1和指令ANL  A #50H比较C、 指令ORL  A @R1和指令MOV  50H R1  ORL  A 50H比较D、 指令ORL  A R1和指令ORL  A #50H比较

考题 指令MOVX A,@ R1的寻址方式是寄存器间接寻址,功能为R1所指向()单元的内容送累加器。

考题 单片机中使用MOVX A,@R1指令,()寻址数据存储器1050H单元。A、能直接B、不能C、与P2口配合能D、与P1口配合能

考题 区分指令MOVX A,@R1和MOVX A,@DPTR。

考题 区分指令MOV A,@R1和MOVX A,@R1。

考题 51单片机执行MOVX写指令时,相关的信号状态是()。A、PSEN无效为低电平,WR有效为低电平B、PSEN无效为高电平,WR有效为低电平C、PSEN有效为低电平,WR无效为高电平D、PSEN有效为高电平,WR无效为高电平

考题 MOVX @DPTR,A指令使WR信号输出有效,()指令使RD信号输出有效。

考题 当需要从MCS-51单片机程序存储器取数据时,采用的指令为()。A、MOV A, @R1B、MOVC A, @A + DPTRC、MOVX A, @ R0D、MOVX A, @ DPTR

考题 执行指令MOVXA,﹫DPTR时,WR、RD脚的电平为()。A、WR高电平,RD低电平B、WR低电平,RD高电平C、WR低电平,RD低电平

考题 通过串行口发送或接收数据时,在程序中应使用()A、MOV指令B、MOVX指令C、MOVC指令D、SWAP指令

考题 用MOVX-@DPTR,A来启动A/D转换开始时,以下说法中正确的是()。A、累加器A中数据没有作用;B、累加器A中数据传递给A/D转换器的同时,该指令的WR用于产生A/D芯片的启动信号;C、用该指令的WR产生A/D芯片的启动信号;D、该指令的WR也可产生A/D芯片的地址锁存信号。

考题 步进指令对中SSTP指令的功能是()。A、进入步进程序B、当监测到触发信号上升沿时,以脉冲执行方式开始执行步进过程(NSTP)C、当监测到触发信号上升沿时,以扫描执行方式开始执行步进过程(NSTL)

考题 问答题MOVC A,@A+DPTR与MOVX A,@DPTR指令有何不同?

考题 单选题下面指令执行后,改变R1寄存器内容的指令是()A TST R1,#2B ORR R1,R1,R1C CMP R1,#2D EOR R1,R1,R1