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温度对tanδ测试结果具有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。


参考答案

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考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用改变试验电源的相位,使外电场的干扰产生相反的结果,再对选相倒相前后各次测试所得数据进行计算,选取误差较小的tanδ值的方法称为选相倒相法。A对B错

考题 温度对tanδ测试结果具有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。A对B错

考题 对于额定电压为35kV及以上的设备,测试tanδ时一般升压至10kV。A对B错

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

考题 一般认为,电力变压器绕组tanδ测试时的温度以10~40℃为宜。A对B错

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下,对同一被试设备,其tanØ随温度的升高而减少。

考题 关于θ角,表达式正确的是()。A、tanθ=tanβ/sinφB、tanθ=tanα/sinφC、tanθ=tanα/sinβD、tanθ=tanβ/cosφ

考题 一般认为,电力变压器绕组tanδ测试时的温度以10~40℃为宜。

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用改变试验电源的相位,使外电场的干扰产生相反的结果,再对选相倒相前后各次测试所得数据进行计算,选取误差较小的tanδ值的方法称为选相倒相法。

考题 对于额定电压为35kV及以上的设备,测试tanδ时一般升压至10kV。

考题 tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿(相对湿度大于85%)条件下测得的tanØ值,不能反映设备的实际绝缘状况。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,当试验现场有运行的高压电气设备,尤其有漏磁通较大的电搞器、阻波器,测试将受到它们形成的磁场干扰,造成tanØ值增大或减小。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,设备温度不同,所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。

考题 QS1型交流电桥测量时,影响tanØ测量值因素主要有()A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响

考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,影响测试结果的因数包括()。A、温度、湿度的影响B、电场干扰影响C、外界磁场的影响D、试品表面泄漏的影响

考题 有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn,若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的()。A、最大值B、最小值C、平均值D、某介于最大值与最小值之间的值

考题 单选题tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()A 良好绝缘B 绝缘中存在气隙C 绝缘受潮

考题 判断题温度对tanδ测试结果具有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。A 对B 错

考题 判断题对于额定电压为35kV及以上的设备,测试tanδ时一般升压至10kV。A 对B 错

考题 判断题温度对tanδ测试结果觉有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。A 对B 错

考题 判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A 对B 错

考题 判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A 对B 错

考题 判断题一般认为,电力变压器绕组tanδ测试时的温度以10~40℃为宜。A 对B 错