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P型半导体中产生空穴的原因是在（）中加入了铝硼镍等元素。

  • A、导体
  • B、绝缘体
  • C、半导体
  • D、介子

参考答案

更多 “P型半导体中产生空穴的原因是在（）中加入了铝硼镍等元素。A、导体B、绝缘体C、半导体D、介子” 相关考题
考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 P型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的 A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价磷元素
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考题 P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的。A.硅元B.锗元素C.三价硼元素D.五价锑元素
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考题 在本征半导体中加入硼元素就得到P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 顺丁聚合反应中,导致胶液门尼值高的原因是()。 A.镍/丁、硼/丁不变，铝/丁过高B.镍/丁、硼/丁不变，铝/丁过低C.硼/丁、铝/丁不变，镍/丁过高D.铝/丁、镍/丁不变，硼/丁过高
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考题 本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。( ) 此题为判断题(对，错)。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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考题 顺丁聚合反应中，导致胶液门尼值高的原因是（）。A、镍/丁、硼/丁不变，铝/丁过高B、镍/丁、硼/丁不变，铝/丁过低C、硼/丁、铝/丁不变，镍/丁过高D、铝/丁、镍/丁不变，硼/丁过高
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考题 关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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考题 如果在半导体材料中掺入（）等五价元素，将制作成N型半导体。A、铟B、铝C、硼D、锑
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考题 在半导体中加入（）等元素，可变成N型半导体。A、锑、磷B、锑、铟C、硼、铟D、镍、铟
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考题 在纯净的硅中加入（）合成为P型半导体。A、铁B、铝C、硼D、银
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考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（）A、电子B、三价硼元素C、五价磷元素
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考题 N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）A、自由电子B、空穴C、硼元素D、磷元素
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考题 在含有三价元素的半导体中，空穴的数目远远超出电子的数目，半导体的导体主要是空穴决定的，导电方向与电场方向相反，这样的半导体叫做p型半导体。
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 N型半导体主要是依靠（）导电的半导体。A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价锑元素
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考题 P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的（）A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价磷元素
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考题 P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、电子B、三价硼元素C、五价磷元素
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考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、硅元B、锗元素C、三价硼元素D、五价锑元素
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考题 单选题在半导体中加入（）等元素，可变成N型半导体。A 锑、磷B 锑、铟C 硼、铟D 镍、铟
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考题 单选题P型半导体中产生空穴的原因是在（）中加入了铝硼镍等元素。A 导体B 绝缘体C 半导体D 介子
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考题 单选题N型半导体主要是依靠（）导电的半导体。A 电子B 空穴C 三价硼元素D 五价锑元素
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考题 单选题在纯净的硅中加入（）合成为P型半导体。A 铁B 铝C 硼D 银
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