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当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。

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考题 当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错
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考题 当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错
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考题 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。A对B错
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考题 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A对B错
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考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
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考题 当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
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考题 当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
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考题 试验中有时发现绝缘电阻较低，泄漏电流大而被认为不合格的被试品，为何同时测得的tanδ值还合格呢？
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考题 当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
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考题 当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。
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考题 当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
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考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
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考题 tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮
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考题 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。
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考题 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。
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考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系
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考题 当断路器电容器的tanδ值不符合要求时，应综合分析tanδ与（）的关系，查明原因。A、绝缘电阻B、电流C、电压D、并联均压电容值
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考题 判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A 对B 错
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考题 判断题对于良好绝缘的Tan6测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错
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考题 问答题具有铁芯的线圈电阻为R，加直流电压U时，线圈中通过的电流I为何值？若铁芯有气隙，当气隙增大时电流和磁通哪个改变？为什么？若线圈加的是交流电压，当气隙增大时，线圈中电流和磁路中磁通又是哪个变化？为什么？
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考题 单选题tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）A 良好绝缘B 绝缘中存在气隙C 绝缘受潮
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考题 单选题于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（）。A 升高B 降低C 基本不变
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考题 判断题对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错
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考题 判断题当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A 对B 错
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考题 判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A 对B 错
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考题 判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A 对B 错
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考题 判断题当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A 对B 错
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