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溶出速率方程是

A.
B.pKa-pH=lg(Cu/Ci)
C.dc/dt-kS(Cs-C)
D.Vd=X0/C0
E.FAb=(AUCpo/X0)/(AUCiv/X0


参考答案

参考解析
解析:
更多 “溶出速率方程是A.B.pKa-pH=lg(Cu/Ci)C.dc/dt-kS(Cs-C)D.Vd=X0/C0E.FAb=(AUCpo/X0)/(AUCiv/X0” 相关考题
考题 溶出速率方程为dC/df=kSCs,以下叙述不正确的是A、此方程称Arrhenius方程B、dC/df为溶出速率C、方程中dC/df与Cs成正比D、方程中dC/df与k成正比E、k为药物的溶出速度常数,S为药物表面积,Cs为药物溶解度

考题 溶出速率方程为dC/df=kS(Cs-C),下列叙述正确的是A、此方程称Arrhenius方程B、dC/df为溶出速率C、方程中dC/df与Cs成正比D、方程中dC/df与k成正比E、k为药物的溶出速度常数,S为药物表面积,Cs为药物溶解度

考题 从溶出速率方程式来看,与溶出速率无关的是() A、溶解固体的表面积B、扩散系数C、溶质的熔点D、扩散层的厚度E、某时间药物在溶液中的浓度

考题 溶出速率方程是A.lgV=lgV-/2.303B.pKa-pH=lg(Cu/Ci)C.dc/dt-kS(C-C)D.V=X/CE.FAb-(AUC/X)/(AUC/X)

考题 溶出速率方程是A.19Vt=lgV0—Kem.t/2.303B.pKa-pH=lg(Cu/Ci)C.dC/dt=kS(Cs-C)D.va=X0/CoE.FAb=(AUCp0/Xo)/(AUCiv/Xo)

考题 写出单层平壁导热的速率方程,并说出其中各项的代表意义?

考题 铝土矿溶出过程,溶出温度提高,氧化铝溶出率(),溶出液A/S()。

考题 出速率方程为dC/df=kSCs,以下叙述不正确的是()A、此方程称Arrhenius方程B、dC/df为溶出速率C、方程中dC/df与Cs成正比D、方程中dC/df与k成正比E、k为药物的溶出速度常数,S为药物表面积,Cs为药物溶解度

考题 关于片剂中药物的溶出,下列哪种说法是错误的()A、亲水性辅料促进药物的溶出B、药物被辅料吸附则阻碍药物溶出C、硬脂酸镁作为片剂润滑剂用量过多则阻碍药物的溶出D、溶剂分散法促进药物的溶出

考题 关于药物溶出速度的影响因素,正确的是()A、溶出速度与扩散层的厚度成反比,与扩散系数成正比B、扩散系数受溶出介质的黏度和药物分子大小的影响C、溶出速度与溶出介质的体积无关D、溶出速度与温度无关E、增加固体的表面积有利于提高溶出速度

考题 关于片剂中药物溶出度,下列说法错误的是()A、硬脂酸镁作为片剂润滑剂,用量过多时则阻碍药物溶出B、药物被辅料吸附则阻碍药物溶出C、溶剂分散法混合药物促进药物溶出D、亲水性辅料促进药物溶出E、疏水性辅料降低药物溶出

考题 电位溶出法中,定量的参数是()A、溶出电位B、扩散电流C、溶出时间D、溶出峰电位

考题 高压溶出的质量指标主要是()。A、氧化铝溶出率B、溶出液苛性比值C、氧化铝溶出率和溶出液苛性比值D、循环效率

考题 溶出度检查操作中,加入每个溶出槽内溶出液的温度应为室温。

考题 溶氧速率方程表达式为();影响溶氧系数的主要因素有()、()、()等。

考题 溶出度是指()A、在规定溶剂中片剂或胶囊溶出的速度或程度B、在规定溶液中溶散出的速度或程度C、在胃液中溶出的速度D、在肠液中溶解的程度E、在溶液中微溶药物溶出的速度

考题 下述关于药物溶出速度的因素的叙述错误的是()A、溶出介质的体积小,溶液中药物浓度高,溶出速度快B、药物在溶出介质中的扩散系数越大,溶出速度越快C、扩散层的厚度越大,溶出速度越慢D、温度升高,药物溶解度增大,溶出速度增快E、增加溶出界面,溶出速度增加

考题 下列有关溶出伏安法溶出过程的说法中不正确的是()A、溶出分为全部和部分溶出两种B、若使用悬汞电极,则一定是全部溶出C、溶出方式多采用线性扫描和示差脉冲D、汞膜电极溶出峰形状易改变,重现性较差

考题 气固催化反应的本征速率方程是指排除了吸附和脱附阻力后的速率方程。

考题 单选题下述关于药物溶出速度的因素的叙述错误的是()A 溶出介质的体积小,溶液中药物浓度高,溶出速度快B 药物在溶出介质中的扩散系数越大,溶出速度越快C 扩散层的厚度越大,溶出速度越慢D 温度升高,药物溶解度增大,溶出速度增快E 增加溶出界面,溶出速度增加

考题 单选题下列关于溶出度的叙述正确的是()A 溶出度系指制剂中某主药有效成分,在水中溶出的速度和程度B 凡检查溶出度的制剂,不再进行崩解时限的检查C 凡检查溶出度的制剂,不再进行重量差异限度的检查D 凡检查溶出度的制剂,不再进行卫生学检查E 桨法是较为常用的测定溶出度的法定方法

考题 单选题下列有关溶出伏安法溶出过程的说法中不正确的是()A 溶出分为全部和部分溶出两种B 若使用悬汞电极,则一定是全部溶出C 溶出方式多采用线性扫描和示差脉冲D 汞膜电极溶出峰形状易改变,重现性较差

考题 单选题电位溶出法中,定量的参数是()A 溶出电位B 扩散电流C 溶出时间D 溶出峰电位

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考题 单选题关于片剂中药物溶出度,下列说法错误的是()A 硬脂酸镁作为片剂润滑剂,用量过多时则阻碍药物溶出B 药物被辅料吸附则阻碍药物溶出C 溶剂分散法混合药物促进药物溶出D 亲水性辅料促进药物溶出E 疏水性辅料降低药物溶出

考题 填空题溶氧速率方程表达式为();影响溶氧系数的主要因素有()、()、()等。

考题 多选题关于药物溶出速度的影响因素,正确的是()A溶出速度与扩散层的厚度成反比,与扩散系数成正比B扩散系数受溶出介质的黏度和药物分子大小的影响C溶出速度与溶出介质的体积无关D溶出速度与温度无关E增加固体的表面积有利于提高溶出速度