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存储器的存取周期是指()，通常存取周期大于存储器的读出时间。
A.读出一个存储单元所用的时间
B.执行一条指令所用的时间
C.连续两次读写同一存储单元的最小时间间隔
D.时钟周期
B.执行一条指令所用的时间
C.连续两次读写同一存储单元的最小时间间隔
D.时钟周期
参考答案
参考解析
解析：读周期是指对芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间，写周期是指对芯片进行连续两次写操作的最小间隔时间。存取周期是指对芯片进行连续两次读写操作的最小间隔时间。
更多 “存储器的存取周期是指()，通常存取周期大于存储器的读出时间。A.读出一个存储单元所用的时间 B.执行一条指令所用的时间 C.连续两次读写同一存储单元的最小时间间隔 D.时钟周期” 相关考题
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下面关于主存储器性能说法中,错误的是()。
A.衡量一个主存储器的性能指标主要有主存容量、存储器存取时间和存储周期B.指令中地址码的位数决定了主存储器可以直接寻址的空间C.存储器存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间D.存储周期是指连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间，通常存储周期略小于存取时间，其差别主要与主存储器的物理实现细节有关
考题
从发出命令到存储器送山数据所需的时间称为读出时间从发出写命令到数据稳定地写入存储器所需的时间称为写入时间。下面是关于存取时间的四种说法，其中止确的是（ ）。A．读出时间与写入时间之和称为存取时间B．读出时间现[现入时间统称为存取时间C．存取时间就是读出时间D．存取时间就是写入时间
考题
下面关于存取周期的叙述中，正确的是A.存取周期指存储器连续两次操作之间的最小时间间隔B.存取周期大于存取时间C.存取周期与存储器带宽密切相关D.存取周期指启动一次存储器操作到完成该操作的时间E.存取周期随指令的不同而不同
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和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
考题
下面是有关RAM存储器的叙述，其中正确的是______。A．386以上的PC机，其RAM存储器的存取周期大约是几微秒(μm)B．386以上的PC机，其RAM存储器的存取周期大约是几毫秒(ns)C．386以上的PC机，其RAM存储器的存取周期大约是几百毫秒(ns)D．386以上的PC机，其RAM存储器的存取周期大约是几十毫秒(ns)
考题
计算机中有cache存储器、主存、外存等多种存储器，用以保证其性能/价格比的优化。下列关于存储器的叙述中，错误的是A．主存容量通常比外存小，但存取速度较快B．主存的存取周期越长，存取速度就越快C．cache存储器大多已集成在CPU芯片中D．cache存储器直接供CPU存取数据，减少了CPU的等待时间
考题
问答题若主存DRAM的的存取周期为70ns，Cache的存取周期为5ns，有它们构成的存储器的平均存取周期是多少？
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