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填空题
电场屏蔽----通常用（）的金属材料作屏蔽体，并应保持良好（）。

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考题 近场电场辐射屏蔽必要条件是采用高导磁率金属屏蔽体和良好接地。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 干扰影响计算应符合（）规定。 A.在进行干扰影响计算时，应计入电信线传播效应的衰减系数； B.当有展蔽体时，应计入屏蔽体800Hz的屏蔽系数； C.对兼作电话用的有线广播双线回路宜按音频双线电话回路计算干扰影响； D.当有屏蔽体时，应计入屏蔽体50Hz的屏蔽系数。
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考题 关于高频电磁辐射屏蔽叙述不正确的是( )。A、机理是利用电磁感应现象 B、主要依靠屏蔽体的吸收和反射作用 C、对于微波来说。屏网目数一定要大 D、当屏蔽厚度在10mm以内时，屏蔽效率随屏蔽厚度的增加而增加
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考题 屏蔽就是用屏蔽体把（）与测量装置隔开，使信号不受外界（）的影响。
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考题 电磁屏蔽体的边角要园滑。
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考题 封闭的空腔导体对外电场具有屏蔽作用，但不能够屏蔽空腔内的电场对外界的干扰。若将屏蔽体接地，则内外电场都将不产生相互影响。
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考题 磁场屏蔽用的屏蔽体用（）制成，由于（）极小，因而干扰源所产生的磁通大部分被限制在强磁屏蔽体内。
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考题 屏蔽技术利用金属材料制成容器，将需要防护的电路或线路包在其中，可以防止电场或磁场的耦合干扰。
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考题 电场屏蔽的屏蔽体的结构完整性与其屏蔽效果无直接影响。
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考题 对于低频磁场干扰以及恒定磁场的影响，应采用（）作屏蔽体，这可使干扰磁场的磁力线大部分经屏蔽体构成磁回路，从而隔离或削弱了磁场干扰的耦合通路。A、铁B、铝C、铜D、锌
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考题 对于电场干扰，屏蔽体的导电率越低，屏蔽效果越好。
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考题 屏蔽是常用的抗干扰技术，可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和（）屏蔽。
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考题 为防止电磁干扰，在屏蔽体与干扰源的金属机壳之间所作的永久性良好的电气连接，称（）A、工作接地B、保护接地C、屏蔽接地D、避雷接地
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考题 中子屏蔽体
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考题 一次屏蔽体primaryshield
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考题 热屏蔽体thermalshield
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考题 电场屏蔽----通常用（）的金属材料作屏蔽体，并应保持良好（）。
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考题 磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。
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考题 电压互感器例行检查，应保证末屏检查接触导通良好，末屏引出小套管接地良好，并有防转动措施。
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考题 屏蔽接地按功能划分要求有（）。A、磁屏蔽体的接地：其目的是为了防止形成环路产生环流而发生磁干扰。磁屏蔽体的接地主要应考虑接地点的位置以避免产生接地环流。一般要求其接地电阻不大于4ΩB、电磁屏蔽体的接地：其目的是为了减少电磁感应的干扰和静电耦合，保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩC、静电屏蔽体的接地：其目的是为了把金属屏蔽体上感应的静电干扰信号直接导入地中，同时减少分布电容的寄生耦合，保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩD、其屏蔽体应在电源滤波器处，即在进线口处一点接地
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考题 电磁屏蔽机房的主要作用是（）。A、防止屏蔽体内信息技术设备产生的电磁波向外界发射B、防止对屏蔽体内信息进行窃听C、防止外界电磁发射对屏蔽体内信息技术设备的干扰D、防止非授权人员闯入或破坏
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考题 常用的屏蔽种类有（）A、静电屏敝、电磁屏敲、磁电屏敲；B、电屏敝、磁屏蔽：C、静电屏蔽、电磁屏蔽、磁屏蔽；D、静电屏蔽、电屏蔽、磁屏蔽；
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考题 填空题屏蔽是常用的抗干扰技术，可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和（）屏蔽。
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考题 填空题磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。
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考题 填空题磁场屏蔽用的屏蔽体用（）制成，由于（）极小，因而干扰源所产生的磁通大部分被限制在强磁屏蔽体内。
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考题 单选题为防止电磁干扰，在屏蔽体与干扰源的金属机壳之间所作的永久性良好的电气连接，称（）A 工作接地B 保护接地C 屏蔽接地D 避雷接地
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