考题
下列不是电介质在强电场作用下呈现的现象是()。
A、放电B、极化C、闪络D、击穿
考题
温度、湿度的增加会增加电介质的电阻率,而杂质含量与电场强度的增加则会降低电介质的电阻率。()
考题
电介质的荷电质点在电场作用下,对应于电场方向产生位移的现象称为()。
A.电介质极化B.电介质电导C.电介质损耗D.电介质击穿
考题
阿司匹林中存在哪种杂质，可引起过每反应 （ ）
考题
下列选项中不影响固体电介质击穿电压的因素是（ ）。A.小桥效应
B.电压作用时间
C.受潮
D.电压种类
考题
下列哪种介质同其他介质相比，具有在击穿后完全的绝缘自恢复特性？（ ）A.气体电介质
B.液体电介质
C.固体电介质
D.复合电介质
考题
下列因素中，不会影响液体电介质击穿电压的是（）。A电压的频率B温度C电场的均匀程度D杂质
考题
含杂质的液体电介质的击穿过程和气体的击穿过程相似。A对B错
考题
在强电场作用下，电介质丧失电绝缘能力的现象分为（）。A、固体电介质击穿B、绝缘老化C、液体电介质击穿D、气体电介质击穿
考题
引起液体电介质击穿的主要因素是（）。A、电源频率B、液体电介质中的杂质C、液体电介质的温度D、电压作用时间
考题
为了提高绝缘强度，必须避免在液体电介质中混入气泡、水分和纤维等杂质。
考题
绝缘材料中的杂质会使电阻率下降，这是因为（）A、在电介质内部减少了导电离子B、在电介质内部增加了导电离子C、杂质使材料容易吸湿D、使电介质内部产生气泡
考题
液体击穿的小桥理论是（）。A、用来解释纯净液体介质击穿过程的B、用来解释含有杂质的液体介质击穿过程的C、用来解释液体介质在电场力作用下的极化现象的.
考题
含杂质的液体电介质的击穿过程和气体的击穿过程相似。
考题
下列选项中不影响固体电介质击穿电压的因素是（）。A、小桥效应B、电压作用时间C、受潮D、电压种类
考题
影响液体电介质击穿电压的因素有杂质、（）、电压作用时间、电场均匀程度、。压力
考题
钢材中由于下列哪种杂质的存在而容易产生冷脆现象（）。A、磷B、硫C、硅D、锰
考题
工程上除去或减少液体电介质中杂质的影响主要采用哪些方法？
考题
纯净液体电介质与含杂质的工程液体电介质的击穿机理不同。对前者主要有电击穿理论和气泡击穿理论，对后者有气体桥击穿理论。（）
考题
下列哪些电介质存在“小桥”现象。（）A、气体B、液体C、固体D、气体、液体和固体
考题
填空题影响液体电介质击穿电压的因素有杂质、（）、电压作用时间、电场均匀程度、。压力
考题
单选题绝缘材料中的杂质会使电阻率下降，这是因为（）A
在电介质内部减少了导电离子B
在电介质内部增加了导电离子C
杂质使材料容易吸湿D
使电介质内部产生气泡
考题
单选题下列因素中，不会影响液体电介质击穿电压的是（）。A
电压的频率B
温度C
电场的均匀程度D
杂质
考题
单选题钢材中由于下列哪种杂质的存在而容易产生热脆现象（）。A
碳B
硅C
锰D
硫
考题
单选题与气体的汤逊理论相类似的液体电介质击穿理论的是（）。A
电击穿理论B
气泡击穿理论C
流注理论D
小桥理论
考题
多选题下列( )因素，会影响液体电介质击穿电压。A电压频率B温度C电场的均匀度D杂质
考题
单选题在外电场的作用下，电介质中正，负电荷沿着电场方向作有限的位移或转向，形成偶极矩，这种现象称为（）A
电介质的放电B
电介质的击穿C
电介质的极化
