考题
由硅稳压二极管构成的稳压电路，其接法是。A、稳压二极管与负载电阻串联B、稳压二极管与负载电阻并联C、限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联
考题
用万用表测试好的单向可控硅,阴极与控制极间()。
A、正向电阻小、反向电阻小B、正向、反向电阻都很大C、正向、反向电阻都很小D、正向电阻大、反向电阻小
考题
区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。A、正向电流B、反向电流C、正向电阻D、反向电阻
考题
二极管具有什么特性？理想二极管的正向电阻为多少？反向电阻为多少？稳压二极管应工作在什么状态？
考题
稳压二极管工作时，外加电压及动态电阻为（）A、正向电压，动态电阻很小B、反向电压，动态电阻很小C、正向电压，动态电阻较大D、反向电压，动态电阻很大
考题
硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。（）
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
用万用表测试好的单向可控硅时，阳极与控制极间的（）。A、正向电阻小，反向电阻大B、正向与反向电阻都很大C、正向与反向电阻都很小D、正向电阻大，反向电阻小
考题
用万用表测试好的单向可控硅，阳极与阴极间（）。A、正向电阻小，反向电阻大B、正向和反向电阻都很小C、正向与反向电阻都很大D、正向电阻大，反向电阻小
考题
在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
考题
硅稳压管使用时，需（）。A、加反向电压和限流电阻B、加正向电压和限流电阻C、加反向电压D、加正向电压
考题
可控硅元件控制极与阴极之间的反向电阻不一定比正向电阻大
考题
硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
考题
单选题用万用表测试好的单向可控硅时，阳极与控制极间的（）。A
正向电阻小，反向电阻大B
正向与反向电阻都很大C
正向与反向电阻都很小D
正向电阻大，反向电阻小
考题
填空题硅二极管的检测时，若正向电阻在8～10Ω，反向电阻在10kΩ以上，说明二极管（）。
考题
单选题稳压二极管工作时，外加电压及动态电阻为（）A
正向电压，动态电阻很小B
反向电压，动态电阻很小C
正向电压，动态电阻较大D
反向电压，动态电阻很大
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
填空题硅整流二极管承受正向电压的阻值很小，约为（）Ω，反向电阻则大于（）Ω，不符合要求时应予更换。
考题
判断题硅管的正向导通电压约为0．7V．A
对B
错
考题
单选题用万用表测试好的单向可控硅，阳极与阴极间（）。A
正向电阻小，反向电阻大B
正向和反向电阻都很小C
正向与反向电阻都很大D
正向电阻大，反向电阻小
