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多选题
测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标?()
A

炉墙温度

B

炭化室两侧燃烧室的横墙温度,并绘出横墙温度曲线

C

焦炉加热制度

D

根据煤线、焦线算出的收缩度


参考答案

参考解析
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考题 ()温度确定的依据是焦饼中心温度。

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?

考题 测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标?()A、炉墙温度B、炭化室两侧燃烧室的横墙温度,并绘出横墙温度曲线C、焦炉加热制度D、根据煤线、焦线算出的收缩度

考题 在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。

考题 改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。

考题 焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

考题 一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

考题 测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。

考题 焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A、300B、600C、800

考题 配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。

考题 测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。

考题 焦饼中心温度为900±50℃。

考题 改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。

考题 正常情况下,焦饼中心温度每季度测量两次。

考题 以下关于装煤过满的论述正确的是()。A、煤线测量数据小B、焦线测量数据小C、焦饼中心温度低D、炉顶空间温度高

考题 判断题测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。A 对B 错

考题 判断题配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。A 对B 错

考题 判断题改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。A 对B 错

考题 问答题测量焦饼中心温度的目的是什么?

考题 判断题测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。A 对B 错

考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A 800±50℃B 900±50℃C 1000±50℃D 1100±50℃

考题 多选题以下关于装煤过满的论述正确的是()。A煤线测量数据小B焦线测量数据小C焦饼中心温度低D炉顶空间温度高

考题 单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A 300B 600C 800