解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。

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解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。

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考题 ZnO压敏电阻元件的过冲效应指的是：当峰值电流一定时，（）。A、残压随波头时间减少而升高B、残压随半值时间减少而升高C、残压随波头时间增加而升高D、残压随半值时间增加而升高

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考题对于ZnO压敏电阻的劣化预防，可以采用（）的方法进行处理。A、机械保护B、热学处理C、化学处理D、合理设计

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考题 ZnO压敏电阻的离子迁移说劣化机理模与实验结果更相符，基本认为：（）。A、劣化是一种晶界现象B、劣化是耗尽层中离子迁移的结果C、劣化是稳定层中离子迁移的结果D、迁移离子主要是氧和填隙Zn

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考题 ZnO压敏电阻的失效模式有（）。A、电气击穿B、过期老化C、机械破坏D、热破坏

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考题金属晶体中最主要的面缺陷是（）。A、晶界B、亚晶界C、超晶界D、次晶界

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考题简述一次莫来石、二次莫来石、相界、晶界、晶界异相偏析效应的定义。

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