考题
环管工艺装置可以采用环管反应器和流化床反应器串联生产均聚、三元共聚、多项共聚。()
此题为判断题(对，错)。
考题
牙托粉的主要成分是________的均聚粉或共聚粉。
考题
6kV工作段母线由工作电源切至备用电源的操作步骤？
考题
生产中从均聚牌号产品切换到抗冲牌号产品时，排放气回收系统需要对哪些管线和控制进行改变？
考题
聚丙烯工艺能生产（）牌号聚丙烯产品。A、均聚B、无规C、抗冲D、低密度
考题
对墙下条形基础应满足（ ）。A、抗弯、抗冲切条件B、抗弯、抗冲切和抗剪条件C、抗冲切和抗剪条件D、抗弯和抗剪条件
考题
造粒操作中均聚生产粒径要求在（）mm抗盐粒径要求在（）mm。
考题
无规共聚物中的乙烯含量影响树脂的抗冲强度，增加乙烯可以（）。
考题
均聚物和共聚物的最大不同点是均聚物的聚合单体是（），而共聚物的聚合单体有（）。
考题
在生产抗冲共聚物和无规共聚物时采用的DONOR浓度（）。
考题
由同种单体进行的聚合反应是（）。A、加成反应B、均聚反应C、缩聚反应D、共聚反应
考题
由两种或两种以上的单体进行的聚合反应是（）。A、均聚反应B、加成反应C、共聚反应D、加聚反应
考题
均聚物分子中有且只有一种（真实的、隐含的或假设的）单体。因此，（）属于共聚物，（）属于均聚物。
考题
r1=r2=1，说明两种单体均聚和共聚速率（），属理想共聚，共聚曲线为共聚物组成-单体组成图上的（）
考题
说明运行中励磁方式（SWTA调节器）由50Hz手动励磁切至SWTA调节器的操作步骤。
考题
简述运行中AVR由90AC切至90DC的操作步骤。
考题
单选题验算承台抗冲切承载力时，作用在由柱边至桩顶内边缘形成冲切破坏锥体上的冲切力最接近于（ ）kN。A
8000B
7570C
7100D
6500
考题
填空题均聚物分子中有且只有一种（真实的、隐含的或假设的）单体。因此，（）属于共聚物，（）属于均聚物。
考题
填空题r1=r2=1，说明两种单体均聚和共聚速率（），属理想共聚，共聚曲线为共聚物组成-单体组成图上的（）
考题
问答题简述运行中AVR由90AC切至90DC的操作步骤。
考题
单选题对柱下独立基础应作（ ）验算。A
抗弯、抗冲切条件B
抗弯、抗冲切和抗剪条件C
抗冲切和抗剪条件D
抗弯和抗剪条件