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晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（）。

  • A、IB＝0
  • B、IB<0
  • C、IB>0

参考答案

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考题 晶体管工作在饱和区时,基极电流为零。 () 此题为判断题(对，错)。
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考题 运放的输入失调电流IIO是指输入电压为零时,运放两输入端的静态基极电流之差。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在晶体管放大器中设置静态工作点的目的说法不正确的选项是( )。 A、避开死区B、使放大器工作在特性曲线的直线部分C、避免放大信号失真D、降低晶体管基极和集电极的电压和电流
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考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏B.正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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考题 晶体管发射极电流IE、基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是()。ΔIC／ΔIB叫做(),用字母()表示。
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考题 当晶体管的UCE一定时,基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为()曲线;当基极电流IB一定时,集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为()曲线。
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考题 晶体管开关电路可以通过控制基极电流Ib的(),起到开关作用。
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考题 当品体管接成共发射极电路，在静态时（ ）的比值称为共发射极静态放大系数。A.集电极电流Ic与基极电流Ib B.集电极电流Ic与发射极电流Ie C.发射极电流Ie与基极电流Ib D.基极电流Ib与集电极电流Ic
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考题 晶体管静态放大倍数β表示（），其中用IC表示集电极直流电流，IB表示基极直流电流。A、Ib/ICB、IC/IbC、IC*IbD、I/（IC*Ib）
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考题 放大电路中设置静态工作点的目的是（）。A、使晶体管的基极电流提高B、使晶体管的集电极电流提高C、为了避开死区D、使晶体管基本上工作在特性曲线的直线段
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考题 单管放大电路的静态工作点过高时，在电源和负载电阻RC不变情况下，可增加基极电阻RB，使基极电流减小。（）
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考题 某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数β约为（）。
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考题 工作在放大区的晶体管，当IB从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为（）
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考题 晶体管的电流放大系数β是指（）A、工作在饱和区时的电流放大系数B、工作在放大区时的电流放大系数C、工作在截止区时的电流放大系数
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考题 晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
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考题 基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区B、饱和区C、死区
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考题 根据功率放大电路中晶体管（）在交流负载线上的位置不同，功率放大电路可分为3种。A、静态工作点B、基极电流C、集电极电压D、集电极电流
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考题 基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）A、截止区B、饱和区C、死区D、交越失真
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考题 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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考题 三极管工作在放大状态时，基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是（）。A、Ie＝Ib＋Ic；B、Ic＝Ie＋Ib；C、Ib＝Ie＋Ie；D、Ib＝Ic－Ic。
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考题 三极管工作在放大状态时，基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是（）。A、Ie=Ib+IcB、Ic=Ie+IbC、Ib=Ie+IcD、Ib=Ic-Ie
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考题 三极管在放大区工作时，只要基极电流有微小的变化，就会引起集电极电流较大的变化。
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考题 单选题在静态时，无论基极偏置电流多大，无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有（）。A IC=IB+IEB IB=IE+ICC IE=IB+ICD IE=（+1）IB
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考题 填空题晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。
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考题 单选题在三极管基本放大电路中，测试发现静态工作点已经设置在放大区中央部分，但同时出现截止和饱和失真。这说明（）。A 测试错误B 输入的信号幅度过大C 为消除失真，应增大三极管基极静态输入电流D 为消除失真，应减小三极管基极静态输入电流
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考题 单选题当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于（）。A 放大区B 饱和区C 截止区D 放大或饱和区
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