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单选题
扫掠-将截面曲线沿引导线扫掠成片体或实体，其截面曲线最少1条，最多150条，引导线最少1条，最多（）条。
A

2

B

3

C

4

D

5

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考题 扫掠实体是指通过沿开放或闭合的二维或三维路径,扫掠开放或闭合的平面曲线来创建新实体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 将两个或两个以上横截面沿指定的路径或导向运动扫描所获得的三维实体是( )。 A、拉伸实体B、旋转实体C、扫掠实体D、放样实体
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考题 若导线长度不变,其截面积增大,导线电阻将减少;若导线截面积不变,长度增加,导线电阻将()。 A.减少B.增大C.不变
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考题 在UGNX6.0中,()功能可以创建片体。 A、沿引导线扫掠B、管道C、拉伸D、回转
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考题 创建一个扫掠特征时，最多可以有几个扫掠草图截面轮廓？（）A、1B、2C、3D、无限制
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考题 低压配电系统中绝缘导线和电缆沿不同冷却条件的路径敷设，应按（）选择其截面。A、不重要回路按冷却条件最坏段条件选择绝缘导线和电缆的截面；B、只对冷却条件最坏段采用大截面的绝缘导线和电缆；C、当冷却条件最坏段的长度超过5m时，按该段条件选择绝缘导线和电缆的截面；D、按B或C选择绝缘导线和电缆的截面。
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考题 若导线长度不变，其截面积增大，导线电阻将减少；若导线截面积不变，长度增加，导线电阻将（）。A、减少B、增大C、不变
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考题 填空题沿引导线扫掠（Sweep along Guide）最多可以选择（）条截面线串和（）条引导线串。
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考题 填空题扫掠特征（Swept）的引导线串最多可以有（）条，且必须相切连续；截面线串最多可有（）条。
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考题 单选题创建一个扫掠特征时，最多可以有几个扫掠草图截面轮廓？（）A 1B 2C 3D 无限制
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考题 单选题（）操作与拉伸操作类似，不同点是该操作将草图截面或曲线等二维对象相对于旋转中心旋转而生成实体模型。A 扫掠B 旋转C 放样D 沿引导线扫掠
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考题 多选题我们在使用以下何种方法时，能通过扫掠特征获得实体（）A一封闭的截面，同时体类型选项设置为实体B以回转扫略的开放截面，并定义回转角度为360度C带有拔模操作的开放截面D带有偏置操作的开放截面
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考题 多选题当执行沿引导线扫掠时，（）必须定义。A截面线串B引导线串C脊椎线串D脊椎轨迹
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考题 判断题扫掠特征的引导线串如果形成封闭环，第一截面线串可被选为最后截面线串。A 对B 错
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考题 判断题沿引导线扫描特征，允许选择多个截面线串和一条引导线串。A 对B 错
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考题 多选题创建沿引导线扫掠特征时，下列哪两种线串必须定义（）A截面线串B引导线串C曲线线串D跟踪线串E肩线串
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考题 填空题可以使用（）命令来沿着一条引导线扫掠一个封闭或开口的截面轮廓，创建一个实体或片体。
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考题 填空题（）是沿一条路径可变地扫掠一主截面建立的实体或片体。
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考题 填空题变化的扫掠特征的主截面是在草图中用（）选项建立的。
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考题 多选题对于扫掠特征是一截面线串移动所扫掠过的区域构成的实体，作为截面线串的曲线可以是（）。A实体边缘B二维曲线C草图特征D基准面边缘
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考题 判断题管体可由【沿导线扫掠】命令生成。A 对B 错
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考题 填空题过曲线（Through Curves）允许最多（）条截面线串创建体，这些截面线串和新建立的体是相关的。
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考题 单选题通过绕一给定轴以非零角度旋转截面曲线建立一旋转体特征，生成全圆形或部分圆形体的是（）。A 扫掠B 拔模C 回转D 拉伸
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考题 多选题如何利用草图创建特征（）A回转B拉伸C沿引导线扫掠D构建自由曲面的轮廓
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考题 判断题扫掠特征的截面线串可以是一个点或一曲线的端点。A 对B 错
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考题 单选题下列哪些功能可以让你通过把曲线延引导线扫掠来创建特征体？（）A 拉伸B 延伸体C 沿路径移动D 沿引导线扫掠
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考题 多选题我们在使用以下何种方法时，能通过扫掠特征获得实体（）A一封闭的截面，同时体类型选项设置为实体B一回转扫掠的开放截面，并定义回转角度为360度C带有拔模操作的开放截面D带有偏置操作的开放截面
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