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微量高,触媒中毒时系统压力上升。


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考题 干法出口总硫高是()原因造成的。 A.干法触媒床层温度低。B.触媒硫容饱和C.负荷过大D.气体成份不符合工艺要求,氨含量高,铁钼触媒中毒E.湿法脱硫出口H2S含量太高

考题 转化系统开车时,先通入氯化氢是为了()。 A、防止触媒吸潮儿增加阻力B、活化触媒C、防止触媒触媒中毒D、以上都不是

考题 触媒钝化时,系统压力维持多少()。 A.0.5MPaB.0.55MPaC.0.4MPaD.0.45MPa

考题 若循环气中的氢气含量上升,下面()工艺参数显示下降。 A.系统操作压力B.触媒床层温度C.合成塔压差D.驰放气流量

考题 合成塔阻力增高有哪些原因()。 A.合成塔触媒活性下降B.合成塔触媒中毒C.合成塔触媒粉碎D.系统阻力增高

考题 原料气含水高,会导致转化器() A.触媒结焦B.转换器漏C.转化器阻力大D.系统压力高

考题 触媒使用初期,触媒活性高,超负荷生产对触媒没有损害。

考题 以下()不属于铜液带入合成塔的现象.A、循环机压差增大B、冷交、氨分液位突然升高C、触媒层上层温度下降,下层上升,热点下降D、系统压力降低

考题 微量高时,首先表现为触媒层的中上层温度急剧上升,而热点温度则略有上升然后下降底层温度上升,压力随之升高

考题 触媒层温度突然下降,系统压力突然升高的原因是什么,不正确的是()A、进塔气带氨、带水B、进塔气微量突降C、内件冷管束损坏,冷气进入触媒层D、中心管、冷管下行或其填料损坏造成冷气进入触媒层

考题 原料气含水高,会导致转化器()A、触媒结焦B、转换器漏C、转化器阻力大D、系统压力高

考题 下面()工艺参数的变化,会降低甲醇合成反应CO单程转化率。A、触媒温度上升B、系统压力上升C、循环机转速下降D、循环气中惰性气含量上升

考题 在其他条件一定的情况下,合成气量(),系统压力(),触媒层温度上升。

考题 停车检修系统合成一定要()。防止空气串入使触媒中毒。

考题 触媒层温度突然下降,系统压力突然上升的原因是()A、微量超高触媒中毒B、循环氢过高C、合成塔带液D、空速加大

考题 触媒层温度突然下降,系统压力()A、微量超高触媒中毒B、循环氢气太高C、循环氢气太低D、循环量小

考题 以下()不属于液氨带入合成塔的现象.A、入塔气体温度下降B、进口氨含量升高C、塔壁温度上升D、触媒层温度下降,系统压力上涨

考题 ()不属于液氨带入合成塔的现象。A、入塔气体温度下降B、进口氨含量升高C、塔壁温度上升D、触媒层温度下降,系统压力上涨

考题 提高合成塔汽包压力,下面()工艺参数显示上升。A、触媒床层温度B、系统操作压力C、合成塔压差D、驰放气流量

考题 若循环气中的氢气含量上升,下面()工艺参数显示下降。A、系统操作压力B、触媒床层温度C、合成塔压差D、驰放气流量

考题 甲醇合成反应器卸出触媒时,要求合成系统()。A、氮气置换合格B、空气置换合格C、触媒降温D、触媒还原

考题 进转化工段焦炉气总硫为什么必须控制在0.1PPm以下()A、因为合成触媒和甲烷化触媒昂贵,对入口硫含量要求苛刻B、若ZnO槽出口总硫过高,不会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性C、若ZnO槽出口总硫过高,必然会使合成触媒和CH4转化触媒中毒失去活性D、总硫高不会造成重大经济损失

考题 原料气不经过脱硫处理直接入工艺系统易导致()。A、水碳比过小B、转化触媒硫中毒C、触媒粉碎D、转化反应不彻底

考题 不是转化炉出口甲烷含量高的原因的是()。A、触媒活性下降B、空速太小C、触媒中毒D、触媒表面结碳

考题 若循环气中的二氧化碳含量上升,下面()工艺参数显示上升。A、系统操作压力B、触媒床层温度C、合成塔压差D、驰放气流量

考题 23#触媒硫化时系统压力控制指标是()

考题 填空题23#触媒硫化时系统压力控制指标是()