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属于WINMAX的器件是()

  • A、耦合器
  • B、AP
  • C、室内型天线
  • D、宏基站

参考答案

更多 “属于WINMAX的器件是()A、耦合器B、APC、室内型天线D、宏基站” 相关考题
考题 晶闸管属于()。 A.半控器件B.全控器件C.场控器件

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT

考题 下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET

考题 晶闸管属于()。A、不可控器件B、全控器件C、半控器件

考题 WinMAX技术旨在为广阔区域内的无线用户提供高速的曲线数据传输服务。() 此题为判断题(对,错)。

考题 写出四个电力电子器件名称(),其中属于全控型器件又是电压驱动的是()。

考题 以下有关晶闸管正确的叙述是()。 A、晶闸管属于3个区2个PN结的三端器件B、晶闸管属于3个区3个PN结的三端器件C、晶闸管属于4个区3个PN结的三端器件D、晶闸管属于4个区2个PN结的三端器件

考题 WinMax是三个3G标准之一。 A.错误B.正确

考题 LED数码管()。A、属于电压控制型器件B、属于电流控制型器件

考题 电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是()A、SCRB、GTR或BJTC、MOSFETD、IGBT

考题 按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

考题 普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件

考题 下列属于立项验证阶段的是?()A、DFMEA分析B、关键器件选型C、关键器件造型D、行业入市认证

考题 WinMax是三个3G标准之一。

考题 下列器件中,属于PLD器件的是()。A、PROMB、PALC、SRAMD、GAL

考题 FET是电压控制电流器件,只依靠一种载流子导电,因而属于()器件。

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,晶闸管属于()A、不可控器件B、半控器件C、全控器件D、复合型器件

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 多选题普通晶闸管属于()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件

考题 多选题下列器件中,属于PLD器件的是()。APROMBPALCSRAMDGAL

考题 判断题WinMax是三个3G标准之一。A 对B 错

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 单选题属于成像的器件是()。A LDB LEDC CCDD PMT

考题 单选题光敏电阻是()器件,属于()A 光电导器件,外光电效应B 光电发射器件,外光电效应C 光生伏特器件,内光电效应D 光电导器件,内光电效应